(1) Mae -transistorau effaith (FETs) yn-ddyfeisiadau a reolir gan foltedd, tra bod transistorau yn ddyfeisiau a reolir yn gyfredol. Dylid dewis FETs pan ganiateir tynnu cerrynt bach yn unig o ffynhonnell y signal; tra dylid dewis transistorau pan fo foltedd y signal yn isel a chaniateir tynnu cerrynt mwy o'r ffynhonnell signal.
(2) Mae FETs yn dargludo trydan gan ddefnyddio cludwyr mwyafrifol, felly fe'u gelwir yn ddyfeisiadau unbegynol, tra bod transistorau yn dargludo trydan gan ddefnyddio cludwyr mwyafrifol a lleiafrifol, felly fe'u gelwir yn ddyfeisiau deubegwn.
(3) Mae gan rai FETs derfynellau ffynhonnell a draen cyfnewidiadwy, a gall eu foltedd giât fod yn bositif neu'n negyddol, gan gynnig mwy o hyblygrwydd na thransistorau.
(4) Gall FETs weithredu o dan amodau cerrynt isel iawn a foltedd isel, ac mae eu proses weithgynhyrchu yn caniatáu integreiddio llawer o FETs i un sglodyn silicon yn hawdd. Felly, mae FETs yn cael eu defnyddio'n eang mewn-cylchedau integredig ar raddfa fawr.
