a. Yn ôl deunydd: Transistorau silicon, transistorau Germanium
b. Yn ôl strwythur: NPN, PNP. (Gweler Ffigur 2)
c. Yn ôl swyddogaeth: Newid transistorau, transistorau pŵer, transistorau Darlington, ffototransistorau, ac ati.
d. Yn ôl pŵer: transistorau pŵer isel-, transistorau pŵer canolig -, transistorau pŵer uchel
e. Yn ôl amledd gweithredu: transistorau amledd isel-, transistorau amledd uchel -, transistorau gor-glocio
dd. Yn ôl strwythur a phroses weithgynhyrchu: Transistorau aloi, transistorau planar
g. Trwy ddull mowntio: Trwy-transistorau twll, transistorau gosod arwyneb-
Paramedrau Cynnyrch
Amlder Nodweddiadol: Pan f=fT, mae'r transistor yn colli ei swyddogaeth mwyhau cyfredol yn llwyr. Os yw'r amledd gweithredu yn fwy na fT, ni fydd y gylched yn gweithio'n iawn.
Gelwir fT yn gynnyrch ennill-lled band, hy, fT=fo. Os yw'r amledd gweithredu cyfredol ar gyfer a ffactor chwyddo cerrynt amledd uchel y transistor yn hysbys, gellir cael yr amledd fT nodweddiadol. Wrth i'r amlder gweithredu gynyddu, mae'r ffactor ymhelaethu yn lleihau. Gellir diffinio fT hefyd fel yr amledd pan fydd=1.
Foltedd a Cherrynt: Gellir defnyddio'r paramedr hwn i nodi foltedd ac ystod gweithredu cyfredol y transistor.
hFE: Ffactor chwyddo cyfredol.
VCEO: Casglwr-foltedd dadelfennu gwrthdro allyrrydd, yn cynrychioli'r foltedd dirlawnder ar dirlawnder critigol.
PCM: Uchafswm gwasgariad pŵer a ganiateir.
Pecyn: Yn nodi siâp ffisegol y transistor. Os yw'r holl baramedrau eraill yn gywir, bydd pecyn gwahanol yn atal y gydran rhag cael ei weithredu ar y bwrdd cylched.